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产品信息
类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管 集电*-发射*电压VCEO：15V
集电*-基*电压VCBO:20V
发射*-基*电压VEBO:3.0V
集电*直流电流IC:200mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:2W
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-223
功率特性：*率
*性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑料封装